Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 16 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9058
- Producentens varenummer:
- IPG16N10S461AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 133,74
(ekskl. moms)
Kr. 167,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8.660 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,687 | Kr. 133,74 |
| 100 - 180 | Kr. 5,214 | Kr. 104,28 |
| 200 - 480 | Kr. 4,885 | Kr. 97,70 |
| 500 - 980 | Kr. 4,548 | Kr. 90,96 |
| 1000 + | Kr. 4,215 | Kr. 84,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9058
- Producentens varenummer:
- IPG16N10S461AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 61mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bredde | 5.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 61mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Bredde 5.9 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Normal Level-Enhancement-tilstand er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, CoolMOS AEC-Q101