Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4681
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,99
(ekskl. moms)
Kr. 108,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.850 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,699 | Kr. 86,99 |
| 100 - 240 | Kr. 8,273 | Kr. 82,73 |
| 250 - 490 | Kr. 8,086 | Kr. 80,86 |
| 500 - 990 | Kr. 7,555 | Kr. 75,55 |
| 1000 + | Kr. 7,046 | Kr. 70,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4681
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101