Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.210,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.010,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,842Kr. 19.210,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4680
Producentens varenummer:
IPG20N10S4L22ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

16V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Bredde

5.9mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.