Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.210,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.010,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,842Kr. 19.210,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4680
Producentens varenummer:
IPG20N10S4L22ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

5.9 mm

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links