Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1845
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 102,33
(ekskl. moms)
Kr. 127,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,822 | Kr. 102,33 |
| 75 - 135 | Kr. 6,483 | Kr. 97,25 |
| 150 - 360 | Kr. 6,203 | Kr. 93,05 |
| 375 - 735 | Kr. 5,934 | Kr. 89,01 |
| 750 + | Kr. 5,525 | Kr. 82,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1845
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IPG | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IPG | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon dual n channel logikniveau MOSFET er mulig til automatisk optisk inspektion. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, CoolMOS AEC-Q101