Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 84,285

(ekskl. moms)

Kr. 105,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,619Kr. 84,29
75 - 135Kr. 5,336Kr. 80,04
150 - 360Kr. 5,116Kr. 76,74
375 - 735Kr. 4,892Kr. 73,38
750 +Kr. 4,558Kr. 68,37

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-1845
Producentens varenummer:
IPG20N04S4L11AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IPG

Emballagetype

SuperSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1mm

Bredde

5.9 mm

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon dual n channel logikniveau MOSFET er mulig til automatisk optisk inspektion. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links