Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 102,33

(ekskl. moms)

Kr. 127,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 6,822Kr. 102,33
75 - 135Kr. 6,483Kr. 97,25
150 - 360Kr. 6,203Kr. 93,05
375 - 735Kr. 5,934Kr. 89,01
750 +Kr. 5,525Kr. 82,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-1845
Producentens varenummer:
IPG20N04S4L11AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IPG

Emballagetype

SuperSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bredde

5.9 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon dual n channel logikniveau MOSFET er mulig til automatisk optisk inspektion. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links