Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 11.990,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.990,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,398Kr. 11.990,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
229-1844
Producentens varenummer:
IPG20N04S4L11AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IPG

Emballagetype

SuperSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bredde

5.9 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon dual n channel logikniveau MOSFET er mulig til automatisk optisk inspektion. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links