Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau, MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1841
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S409ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,29
(ekskl. moms)
Kr. 110,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,829 | Kr. 88,29 |
| 50 - 90 | Kr. 8,385 | Kr. 83,85 |
| 100 - 240 | Kr. 8,034 | Kr. 80,34 |
| 250 - 490 | Kr. 7,682 | Kr. 76,82 |
| 500 + | Kr. 7,151 | Kr. 71,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1841
- Producentens varenummer:
- IPG20N04S409ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 54W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt N-kanal på normalt niveau | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bredde | 5.9 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 54W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt N-kanal på normalt niveau | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 5.15mm | ||
Bredde 5.9 mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon dobbelt n-kanal normal MOSFET har samme termiske og elektriske ydelse som en DPAK med samme kæbestørrelse. Den blotlagte pude giver fremragende termisk overførsel. Det er to n-kanal i ét hus med 2 isolerede elektroderammer.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 60 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101 IPG20N04S412AATMA1
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Dual N-Kanal 20 A 40 V P IPG Nej
- Infineon Dual N-Kanal 20 A 40 V P IPG Nej IPG20N04S4L08ATMA1
