Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand, MOSFET, 16 A 100 V Dual N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- RS-varenummer:
- 243-9341
- Producentens varenummer:
- IPG16N10S461ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 13.825,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.280,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 2,765 | Kr. 13.825,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9341
- Producentens varenummer:
- IPG16N10S461ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Dual N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Dual N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon har MOSFET, som er dobbelt N-kanal normalt niveau - logisk niveau, AEC Q101 kvalificeret og 100% Avalanche testet.
N kanal
100 % Avalanche testet
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 60 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V IPG20N06S4L-11 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101