Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON,
- RS-varenummer:
- 214-9062
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 102,62
(ekskl. moms)
Kr. 128,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 14.760 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,262 | Kr. 102,62 |
| 50 - 90 | Kr. 9,746 | Kr. 97,46 |
| 100 - 240 | Kr. 9,335 | Kr. 93,35 |
| 250 - 490 | Kr. 8,939 | Kr. 89,39 |
| 500 + | Kr. 8,31 | Kr. 83,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9062
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Transistorkonfiguration | Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 5.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Transistorkonfiguration Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 5.9 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Logic Level-Enhancement-tilstanden er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V IPG20N06S4L-11 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Dual N-Kanal 20 A 40 V P IPG Nej
