Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON,
- RS-varenummer:
- 214-9061
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 19.605,00
(ekskl. moms)
Kr. 24.505,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,921 | Kr. 19.605,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9061
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Transistorkonfiguration | Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Transistorkonfiguration Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Logic Level-Enhancement-tilstanden er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V IPG20N06S4L-11 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Dual N-Kanal 20 A 40 V P IPG
- Infineon 2 Type N-Kanal Forbedringstilstand 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101