Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON,

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.605,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.505,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,921Kr. 19.605,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-9061
Producentens varenummer:
IPG20N06S4L11AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

65W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±16 V

Transistorkonfiguration

Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1mm

Længde

5.15mm

Bredde

5.9 mm

Standarder/godkendelser

RoHS, MSL1, AEC Q101

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. Dual N-channel Logic Level-Enhancement-tilstanden er mulig ved automatisk optisk inspektion (AOI). OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon produkter er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed.

Produktet er AEC Q101-kvalificeret

100 % lavine-testet

Den har en driftstemperatur på 175 °C.

Relaterede links