Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau, MOSFET, 20 A 60 V Dual N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- RS-varenummer:
- 249-6918
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S415AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 40,02
(ekskl. moms)
Kr. 50,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.755 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,004 | Kr. 40,02 |
| 50 - 120 | Kr. 7,12 | Kr. 35,60 |
| 125 - 245 | Kr. 6,642 | Kr. 33,21 |
| 250 - 495 | Kr. 6,164 | Kr. 30,82 |
| 500 + | Kr. 5,774 | Kr. 28,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6918
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S415AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPG20N06S4-15A | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Dual N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt N-kanal på normalt niveau | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPG20N06S4-15A | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Dual N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt N-kanal på normalt niveau | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 60 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Normalt niveau Forbedringstilstand 16 A 100 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon Dual N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V IPG20N06S4L-11 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 60 V Forbedring TDSON,