Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau, MOSFET, 20 A 60 V Dual N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 19.380,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.225,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 3,876Kr. 19.380,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
249-6917
Producentens varenummer:
IPG20N06S415AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG20N06S4-15A

Benantal

8

Kanalform

Dual N

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt N-kanal på normalt niveau

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links