Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekttransistor, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 220-7425
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 14.830,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.540,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 2,966 | Kr. 14.830,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7425
- Producentens varenummer:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 5.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 5.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 5.9 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 5.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon tilbyder et bredt udvalg af 75 V-100 V N-kanal automotive kvalificerede power MOSFET'er, der anvender den nye OptiMOS teknologi i forskellige pakker et RDS(on) område fra 1,2 m/s/t/op til 190 m/t/l/l/s CO2-emissioner fra personbiler fremskynder 48 V-kortets nettilslutning og derfor 48 V-lignende startgeneratorer (hovedinverter). Batteriets hovedkontakter, DC-DC-konverter samt 48 V hjælpeenheder. Infineon tilbyder et bredt udvalg af 80 V og 100 V MOSFET'er til brug i biler til dette nye marked, Der findes i forskellige pakketyper som F.EKS. BETALINGSNUMMER (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) og S308 (TSDSDSON-8) for at kunne levere løsninger til forskellige strømkrav samt forskellige kølebegreber på ECU-niveau. Ved siden af 48 V anvendelser bruges 80 V og 100 V MOSFET'er også til f.eks. LED-belysning, brændstofindsprøjtning samt trådløs opladning i bilen.
Dobbelt N-kanal logisk niveau - forbedringstilstand
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % lavine-testet
Dobbelt Super S08 kan erstatte flere DPAK'er for at opnå betydelige besparelser på printområdet og reduktion af systemomkostningerne.
Forbindelsestråd er 200 um for op til 20 A strøm
Større tilslutning af kildeledning til ledningsbinding
Pakke: PG-TDSON-8-4
Samme termiske og elektriske ydeevne som en DPAK med samme kæbestørrelse.
Blotlagt pude giver fremragende termisk overførsel (varierer efter kæbestørrelse)
To N-kanal MOSFET'er i ét hus med 2 isolerede ledninger rammer
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35ATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35AATMA1
- Infineon N-Kanal 137 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC028N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N04S4L07AATMA1
- Infineon N-Kanal 16 A 300 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC13DN30NSFDATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Infineon N-Kanal 82 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 3 BSC061N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC90N04S53R6ATMA1
