Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 20 A 100 V, 8 ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon tilbyder et bredt udvalg af 75 V-100 V N-kanal automotive kvalificerede power MOSFET'er, der anvender den nye OptiMOS teknologi i forskellige pakker et RDS(on) område fra 1,2 m/s/t/op til 190 m/t/l/l/s CO2-emissioner fra personbiler fremskynder 48 V-kortets nettilslutning og derfor 48 V-lignende startgeneratorer (hovedinverter). Batteriets hovedkontakter, DC-DC-konverter samt 48 V hjælpeenheder. Infineon tilbyder et bredt udvalg af 80 V og 100 V MOSFET'er til brug i biler til dette nye marked, Der findes i forskellige pakketyper som F.EKS. BETALINGSNUMMER (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) og S308 (TSDSDSON-8) for at kunne levere løsninger til forskellige strømkrav samt forskellige kølebegreber på ECU-niveau. Ved siden af 48 V anvendelser bruges 80 V og 100 V MOSFET'er også til f.eks. LED-belysning, brændstofindsprøjtning samt trådløs opladning i bilen.

Dobbelt N-kanal logisk niveau - forbedringstilstand
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % lavine-testet
Dobbelt Super S08 kan erstatte flere DPAK'er for at opnå betydelige besparelser på printområdet og reduktion af systemomkostningerne.
Forbindelsestråd er 200 um for op til 20 A strøm
Større tilslutning af kildeledning til ledningsbinding
Pakke: PG-TDSON-8-4
Samme termiske og elektriske ydeevne som en DPAK med samme kæbestørrelse.
Blotlagt pude giver fremragende termisk overførsel (varierer efter kæbestørrelse)
To N-kanal MOSFET'er i ét hus med 2 isolerede ledninger rammer