Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS Nej IPB80N06S2L09ATMA2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 199,85

(ekskl. moms)

Kr. 249,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 19,985Kr. 199,85
20 - 40Kr. 18,992Kr. 189,92
50 - 90Kr. 18,184Kr. 181,84
100 - 240Kr. 17,391Kr. 173,91
250 +Kr. 16,187Kr. 161,87

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-9026
Producentens varenummer:
IPB80N06S2L09ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere. Disse er robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Produktet er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler

100 % lavine-testet

Den har en driftstemperatur på 175 °C.

Relaterede links