Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V Nej IPB049N08N5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 53,16

(ekskl. moms)

Kr. 66,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.730 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,316Kr. 53,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2496
Producentens varenummer:
IPB049N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS 5 80V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

49mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineons OptiMOS™ 5 80V industrielle power MOSFET IPB049N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

RDS(on)-reduktion på op til 44 %

Relaterede links