Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V Nej IPB049N08N5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 53,16

(ekskl. moms)

Kr. 66,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.730 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,316Kr. 53,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2496
Producentens varenummer:
IPB049N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS 5 80V

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

49mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineons OptiMOS™ 5 80V industrielle power MOSFET IPB049N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

RDS(on)-reduktion på op til 44 %

Relaterede links