Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V
- RS-varenummer:
- 215-2496
- Producentens varenummer:
- IPB049N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 135,09
(ekskl. moms)
Kr. 168,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 730 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 13,509 | Kr. 135,09 |
| 20 - 40 | Kr. 12,836 | Kr. 128,36 |
| 50 - 90 | Kr. 12,297 | Kr. 122,97 |
| 100 - 240 | Kr. 11,751 | Kr. 117,51 |
| 250 + | Kr. 10,943 | Kr. 109,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2496
- Producentens varenummer:
- IPB049N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 80V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 49mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 80V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 49mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons OptiMOS™ 5 80V industrielle power MOSFET IPB049N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %
RDS(on)-reduktion på op til 44 %
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5 80V
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101