Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C6 Nej IPD60R2K0C6ATMA1
- RS-varenummer:
- 214-9043
- Producentens varenummer:
- IPD60R2K0C6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 125,575
(ekskl. moms)
Kr. 156,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 5,023 | Kr. 125,58 |
| 125 - 225 | Kr. 4,772 | Kr. 119,30 |
| 250 - 600 | Kr. 4,67 | Kr. 116,75 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,371 | Kr. 109,28 |
| 1250 + | Kr. 4,069 | Kr. 101,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9043
- Producentens varenummer:
- IPD60R2K0C6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22.3W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22.3W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS C6-serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. De tilbudte enheder giver alle fordelene ved en hurtig switching SJ MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden. Ekstremt lave koblings- og ledningstab gør switching-anvendelser endnu mere effektive, mere kompakte, lettere og køligere.
Nem at bruge/køre
Fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC til industrielle anvendelser
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 2 3 ben CoolMOS™ C6 IPD60R2K0C6ATMA1
- Infineon N-Kanal 10 3 ben CoolMOS™ C6 IPD60R380C6ATMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R360P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R180P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R280P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R180P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ C7 IPD60R180C7ATMA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ C6 IPP60R099C6XKSA1
