Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

RS-varenummer:: 215-2538
Producentens varenummer:: IPP60R099P7XKSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 704,60

(ekskl. moms)

Kr. 880,75

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 14,092	Kr. 704,60
100 - 200	Kr. 12,964	Kr. 648,20
250 +	Kr. 12,261	Kr. 613,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2538
Producentens varenummer:: IPP60R099P7XKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	31A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	CoolMOS P7
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	99mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	45nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	117W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	4.57mm
	Længde	10.36mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-220
	Serie CoolMOS P7
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 99mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 117W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 4.57mm
	Længde 10.36mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPP60R099P7XKSA1

Infineon CoolMOS™ MOSFET i P7-serien, 31A kontinuerlig drænstrøm, 600V drænkildespænding - IPP60R099P7XKSA1

Denne MOSFET er en højtydende strømkomponent, der er designet specielt til højspændingsapplikationer. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 31A og en maksimal drain-source-spænding på 600V er den anbragt i en TO-220-pakke, hvilket gør den velegnet til montering gennem huller. Dens enestående specifikationer gør den ideel til avancerede elektroniske designs på tværs af forskellige industrier.

Egenskaber og fordele

• Velegnet til både hårde og bløde skift

• Reducerer koblings- og ledningstab betydeligt

• Fremragende robust kropsdiode til hård kommutering

• Høj ESD-beskyttelse på over 2kV giver pålidelig ydeevne

• Enhancement mode-konfiguration forenkler kredsløbsdesign

Anvendelser

• Ideel til PFC-trin (Power Factor Correction)

• Bruges i hard-switching PWM (Pulse Width Modulation)

• Kan anvendes i resonansswitching-trin til forskellige former for elektronik

• Velegnet til adaptere og LCD/PDP-tv'er

• Anvendes i belysningsløsninger, serverudstyr og telekommunikationssystemer

Hvad er betydningen af den lave RDS(on)-værdi i denne enhed?

En lav RDS(on)-værdi på 0,099 ohm minimerer ledningstab, hvilket forbedrer effektiviteten af strømkonvertering i applikationer, hvor varmeudvikling er et problem.

Hvordan påvirker dens arbejdstemperaturområde dens ydeevne?

Den fungerer effektivt mellem -55 °C og +150 °C og sikrer pålidelighed og stabilitet selv under ekstreme forhold, hvilket gør den velegnet til forskellige miljøer.

Kan den bruges i parallelle konfigurationer?

Ja, til parallelle konfigurationer anbefales det generelt at bruge ferritperler på gaten eller separate totempæle for at forhindre svingninger og sikre stabil drift.