Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2
- RS-varenummer:
- 215-2548
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S407AKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 111,68
(ekskl. moms)
Kr. 139,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 11,168 | Kr. 111,68 |
| 50 - 90 | Kr. 10,622 | Kr. 106,22 |
| 100 - 240 | Kr. 9,559 | Kr. 95,59 |
| 250 - 490 | Kr. 8,587 | Kr. 85,87 |
| 500 + | Kr. 8,176 | Kr. 81,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2548
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S407AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor-serien har 60 V maksimal dræningskildespænding med TO-220 hustype. Det er N-kanal med 7,1 mΩ maks. maksimal modstand i afløbets kilde.
N-kanal - forbedringstilstand
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V TO-220, OptiMOS T2 IPP80N06S4L-05
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5