Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 44 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 215-2556
- Producentens varenummer:
- IPT60R050G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 136,81
(ekskl. moms)
Kr. 171,012
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 426 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 68,405 | Kr. 136,81 |
| 10 - 18 | Kr. 60,215 | Kr. 120,43 |
| 20 - 48 | Kr. 56,065 | Kr. 112,13 |
| 50 - 98 | Kr. 52,695 | Kr. 105,39 |
| 100 + | Kr. 48,545 | Kr. 97,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2556
- Producentens varenummer:
- IPT60R050G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V Cool MOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.
Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G
Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 44 A 600 V Forbedring HSOF, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7