Infineon N-Kanal, MOSFET, 44 A 600 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 215-2556
- Producentens varenummer:
- IPT60R050G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 142,72
(ekskl. moms)
Kr. 178,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 426 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 71,36 | Kr. 142,72 |
| 10 - 18 | Kr. 62,83 | Kr. 125,66 |
| 20 - 48 | Kr. 58,495 | Kr. 116,99 |
| 50 - 98 | Kr. 54,98 | Kr. 109,96 |
| 100 + | Kr. 50,675 | Kr. 101,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2556
- Producentens varenummer:
- IPT60R050G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction MOSFET-serien (G7) samler fordelene ved den forbedrede 600V Cool MOS™ C7 Gold-teknologi, 4-bens Kelvin-kildefunktion og de forbedrede termiske egenskaber for TO-Leadless-pakken (TOLL) for at muliggøre en mulig SMD-løsning til højstrøms-topologier med hårdt skift, som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC) på op til 3 kW og for resonanskredsløb som f.eks. High end LLC.
Giver klassens bedste FOM R DS(on)XE oss og R DS(on)XQ G
Muliggør klassens bedste R DS (ON) i det mindste format
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 44 A 600 V Forbedring HSOF, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 48 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7