Infineon N-Kanal, MOSFET, 70 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2508
- Producentens varenummer:
- IPB70N10S312ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 140,02
(ekskl. moms)
Kr. 175,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 14,002 | Kr. 140,02 |
| 50 - 90 | Kr. 13,302 | Kr. 133,02 |
| 100 - 240 | Kr. 12,742 | Kr. 127,42 |
| 250 - 490 | Kr. 12,182 | Kr. 121,82 |
| 500 + | Kr. 11,342 | Kr. 113,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2508
- Producentens varenummer:
- IPB70N10S312ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 129W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.45mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 129W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.45mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 100 V N-CH, 11,3 MΩ maks., Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 70 A 100 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 50 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS