Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-varenummer:
- 217-2544
- Producentens varenummer:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 4.662,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.826,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,554 | Kr. 4.662,00 |
| 6000 + | Kr. 1,477 | Kr. 4.431,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2544
- Producentens varenummer:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 3.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPN seriens MOSFET, 700 V maksimal drain source-spænding, 4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPN70R1K4P7SATMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede anvendelser i industrielle termiske miljøer. Den er beregnet til at styre strømmen i kredsløb, der kræver en forstærkningstransistor, der kan håndtere høje drain-to-source-spændinger og kontinuerlig strøm, mens den fungerer over et bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 700 V drain-to-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1.4 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 6.2 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 30 V gate-tolerance giver robust gate-driver-margen
• 4.7 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
• 4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1.4 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 6.2 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 30 V gate-tolerance giver robust gate-driver-margen
• 4.7 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
Anvendelser
• Velegnet til højspændingskredsløb i strømforsyninger
• Ideel til middels kraftige motordrevstrin med overflademontering
• Anvendes til flyback- og boost-konverterelementer
• Kan bruges til kontrolleret belastningsswitching i industrielt udstyr
• Velegnet til kredsløb, der kræver drift i et bredt temperaturområde
• Ideel til middels kraftige motordrevstrin med overflademontering
• Anvendes til flyback- og boost-konverterelementer
• Kan bruges til kontrolleret belastningsswitching i industrielt udstyr
• Velegnet til kredsløb, der kræver drift i et bredt temperaturområde
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?
Den fungerer pålideligt fra -40 °C op til 150 °C.
Hvor mange tilslutningsben er tilgængelige for layoutovervejelser?
Enheden leveres med tre elektriske klemmer til printkortmontering.
Hvilken pakketype skal specificeres for overflademontering?
Den bruger et SOT-223-pakke, der er velegnet til overflademonterede loddeprocesser.
Hvad er det typiske fremadgående fald, hvis den integrerede diode leder?
Enheden udviser en fremadgående spænding på 0,9 V, når den iboende diode leder.
Hvordan påvirker gate-opladningen koblingsydeevnen?
En typisk gate-ladning på 4,7 nC begrænser gate-drevenergi og påvirker skiftehastighed og tab.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 4.5 A 800 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 9.4 A 700 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 3 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN70R
- Infineon N-Kanal 3 A 700 V Forbedring SOT-223, CoolMOS