Infineon N-Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, IPN70R

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 187,60

(ekskl. moms)

Kr. 234,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 3,752Kr. 187,60
100 - 200Kr. 2,851Kr. 142,55
250 - 450Kr. 2,664Kr. 133,20
500 - 1200Kr. 2,476Kr. 123,80
1250 +Kr. 2,287Kr. 114,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4922
Producentens varenummer:
IPN70R2K0P7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

SOT-223

Serie

IPN70R

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

16V

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.7mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.8mm

Længde

6.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPN70R seriens MOSFET, 700 V maksimal drain source-spænding, 3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPN70R2K0P7SATMA1


Denne MOSFET er en højspændings, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektswitching i kredsløb, der kræver høje drain-source-spændinger. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, hvor kontrolleret gate-drev og styring af effekttab er vigtige.

Egenskaber og fordele:


• 700 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskontaktfunktion
• 3 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbelastninger
• 2 Ω maks. RDS(on) reducerer ledningstab under lette belastninger
• 3.8 nC typisk gate-ladning minimerer koblingsenergi
• 16 V maksimal gate-source-grænse tillader standard gate-drive-niveauer
• 6 W maks. effekttab hjælper med termisk styring i SOT-223

Anvendelser


• Velegnet til strømforsyninger, der kræver højspændingskontakter
• Ideel til switch-mode-regulatorer med moderate strømbehov
• Anvendes til omskiftning på linjesiden i industrielt styreudstyr
• Kan bruges til belysningsdrivere, der fungerer ved høj spænding
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder, hvor der er behov for kompakt strøm

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tolerere under drift?


Den er specificeret til at fungere ned til -40 °C og op til 150 °C.

Hvordan påvirker pakken monteringen og den termiske vej?


SOT-223-pakken er beregnet til overflademontering og giver en termisk vej, der er velegnet til dens nominelle tabsstyrke på 6 W.

Hvilke hensyn skal der tages til portdrev for sikker drift?


Gate-spændingen må ikke overstige 16 V og bør styres for at opnå den ønskede forstærkning, samtidig med at gate-ladningen på 3,8 nC overholdes.

Hvordan skal designere tage hensyn til ledningstab ved nominel strøm?


Brug den maksimale 2 Ω drain-source-modstand til at vurdere ledningstab i værste tilfælde ved kontinuerlige strømme op til 3 A.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.