Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, IPN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 6.498,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.124,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,166Kr. 6.498,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2542
Producentens varenummer:
IPN60R360P7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-223

Serie

IPN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

360mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

111W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

8.8 mm

Længde

8.8mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er designet til at håndtere typiske udfordringer på SMPS-markedet med lavt strømforbrug ved at tilbyde fremragende ydeevne og brugervenlighed, hvilket muliggør forbedrede formfaktorer og priskonkurrenceevne. SOT-223-pakken er et omkostningseffektivt en-til-en-drop-in alternativ til DPAK, der også muliggør reduktion af fodaftryk i visse design. Den kan placeres på et typisk DPAK-bundareal og viser sammenlignelig termisk ydelse. Denne kombination gør CoolMOS™ P7 i SOT-223 til en perfekt løsning til dens formål.

Superjunction-teknologi med optimal pasform

Omkostningseffektiv pakkeløsning

Klassens bedste forhold mellem pris og ydeevne

Relaterede links