Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.193,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.492,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,731Kr. 5.193,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-2270
Producentens varenummer:
IPN60R600PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPN

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) supplerer CoolMOS 7-serien til forbrugerformål. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet.

Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Lave koblingstab Eoss, fremragende termisk adfærd

Hurtig husdiode

Bredt udvalg af RDS- (on) og pakkevarianter

Muliggør design med høj effekttæthed og små formfaktorer

Muliggør effektivitetsgevinster ved højere switching-frekvenser

Fremragende kommutation robusthed

Nemt at vælge de rigtige dele og optimere designet

Relaterede links