Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2267
- Producentens varenummer:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 34,11
(ekskl. moms)
Kr. 42,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,822 | Kr. 34,11 |
| 50 - 120 | Kr. 5,998 | Kr. 29,99 |
| 125 - 245 | Kr. 5,596 | Kr. 27,98 |
| 250 - 495 | Kr. 5,176 | Kr. 25,88 |
| 500 + | Kr. 4,848 | Kr. 24,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2267
- Producentens varenummer:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) supplerer CoolMOS 7-serien til forbrugerformål. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet.
Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Lave koblingstab Eoss, fremragende termisk adfærd
Hurtig husdiode
Bredt udvalg af RDS- (on) og pakkevarianter
Integreret zener-diode
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 3 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 75 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 950 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN