Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 26,93

(ekskl. moms)

Kr. 33,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.700 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 5,386Kr. 26,93
50 - 120Kr. 4,742Kr. 23,71
125 - 245Kr. 4,414Kr. 22,07
250 - 495Kr. 4,07Kr. 20,35
500 +Kr. 3,83Kr. 19,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-2267
Producentens varenummer:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

SOT-223

Serie

IPN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) supplerer CoolMOS 7-serien til forbrugerformål. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet.

Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Lave koblingstab Eoss, fremragende termisk adfærd

Hurtig husdiode

Bredt udvalg af RDS- (on) og pakkevarianter

Integreret zener-diode

Relaterede links

Recently viewed