Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-varenummer:
- 217-2543
- Producentens varenummer:
- IPN60R360P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 105,54
(ekskl. moms)
Kr. 131,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.700 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,277 | Kr. 105,54 |
| 100 - 180 | Kr. 4,223 | Kr. 84,46 |
| 200 - 480 | Kr. 3,957 | Kr. 79,14 |
| 500 - 980 | Kr. 3,695 | Kr. 73,90 |
| 1000 + | Kr. 3,43 | Kr. 68,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2543
- Producentens varenummer:
- IPN60R360P7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8.8mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8.8mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er designet til at håndtere typiske udfordringer på SMPS-markedet med lavt strømforbrug ved at tilbyde fremragende ydeevne og brugervenlighed, hvilket muliggør forbedrede formfaktorer og priskonkurrenceevne. SOT-223-pakken er et omkostningseffektivt en-til-en-drop-in alternativ til DPAK, der også muliggør reduktion af fodaftryk i visse design. Den kan placeres på et typisk DPAK-bundareal og viser sammenlignelig termisk ydelse. Denne kombination gør CoolMOS™ P7 i SOT-223 til en perfekt løsning til dens formål.
Superjunction-teknologi med optimal pasform
Omkostningseffektiv pakkeløsning
Klassens bedste forhold mellem pris og ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 4.5 A 800 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 75 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101