Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.951,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.938,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,317Kr. 3.951,00
6000 +Kr. 1,251Kr. 3.753,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-2266
Producentens varenummer:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

IPN

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) supplerer CoolMOS 7-serien til forbrugerformål. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet.

Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss

Lave koblingstab Eoss, fremragende termisk adfærd

Hurtig husdiode

Bredt udvalg af RDS- (on) og pakkevarianter

Integreret zener-diode

Relaterede links

Recently viewed