Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.1 A 950 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 21,02

(ekskl. moms)

Kr. 26,275

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 335 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 4,204Kr. 21,02
50 - 120Kr. 3,696Kr. 18,48
125 - 245Kr. 3,426Kr. 17,13
250 - 495Kr. 3,202Kr. 16,01
500 +Kr. 2,992Kr. 14,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-2273
Producentens varenummer:
IPN95R3K7P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.1A

Drain source spænding maks. Vds

950V

Emballagetype

SOT-223

Serie

IPN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

2mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon Technologies CoolMOS P7 MOSFET'er leverer klassens bedste pris/ydelsesforhold med fremragende brugervenlighed til håndtering af udfordringer i forskellige applikationer. De P7 MOSFET'er er fuldt optimeret til hårde og bløde topologier.

Klassens bedste FOM RDS(on) * (Eoss) energi spredt af COSS (udgangskapacitet); Reduceret gatekapacitet (QG), indgangskapacitet og udgangskapacitet

Klassens bedste SOT-223 RDS (til)

Bedste i klasse V (GS) nr. 3V og mindste V (GS). Variation på ± 0,5V

Integreret ESD-beskyttelse med zenerdiode

Klassens bedste Cool MOS-kvalitet og pålidelighed

Fuldt optimeret portefølje

Relaterede links