Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 19,00

(ekskl. moms)

Kr. 23,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.580 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 3,80Kr. 19,00
50 - 120Kr. 3,126Kr. 15,63
125 - 245Kr. 2,932Kr. 14,66
250 - 495Kr. 2,752Kr. 13,76
500 +Kr. 2,514Kr. 12,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-2269
Producentens varenummer:
IPN60R360PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

SOT-223

Serie

IPN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R360PFD7S) supplerer CoolMOS 7-tilbuddet til forbrugerformål. IPN60R360PFD7S i en SOT-223-pakke har RDS(on) på 360mOhm, hvilket resulterer i lave koblingstab.

Meget lav FOM RDS(on) x Eoss

Integreret robust hurtig husdiode

Op til 2kV ESD-beskyttelse

Bredt udvalg af RDS-værdier (til)

Fremragende kommutation robusthed

Lav EMI

Bred pakkeportefølje

Relaterede links