Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2269
- Producentens varenummer:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 56,10
(ekskl. moms)
Kr. 70,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.580 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,22 | Kr. 56,10 |
| 50 - 120 | Kr. 9,216 | Kr. 46,08 |
| 125 - 245 | Kr. 8,632 | Kr. 43,16 |
| 250 - 495 | Kr. 8,094 | Kr. 40,47 |
| 500 + | Kr. 7,42 | Kr. 37,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2269
- Producentens varenummer:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R360PFD7S) supplerer CoolMOS 7-tilbuddet til forbrugerformål. IPN60R360PFD7S i en SOT-223-pakke har RDS(on) på 360mOhm, hvilket resulterer i lave koblingstab.
Meget lav FOM RDS(on) x Eoss
Integreret robust hurtig husdiode
Op til 2kV ESD-beskyttelse
Bredt udvalg af RDS-værdier (til)
Fremragende kommutation robusthed
Lav EMI
Bred pakkeportefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 3 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 75 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 950 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN