Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2271
- Producentens varenummer:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 48,84
(ekskl. moms)
Kr. 61,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.415 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2271
- Producentens varenummer:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) supplerer CoolMOS 7-serien til forbrugerformål. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet.
Ekstremt lave tab pga. meget lav FOM RDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Lave koblingstab Eoss, fremragende termisk adfærd
Hurtig husdiode
Bredt udvalg af RDS- (on) og pakkevarianter
Muliggør design med høj effekttæthed og små formfaktorer
Muliggør effektivitetsgevinster ved højere switching-frekvenser
Fremragende kommutation robusthed
Nemt at vælge de rigtige dele og optimere designet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 6.1 A 75 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 3 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 6.1 A 950 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN