Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.1 A 75 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2263
- Producentens varenummer:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 30,44
(ekskl. moms)
Kr. 38,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,044 | Kr. 30,44 |
| 100 - 240 | Kr. 2,88 | Kr. 28,80 |
| 250 - 490 | Kr. 2,827 | Kr. 28,27 |
| 500 - 990 | Kr. 2,64 | Kr. 26,40 |
| 1000 + | Kr. 2,147 | Kr. 21,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2263
- Producentens varenummer:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineons CoolMOS CE Power MOSFET'er er en teknologiplatform af high-voltage MOSFET'er, der er designet i henhold til super-junction-princippet (SJ) og udviklet til at opfylde forbrugernes krav.
Ekstremt lave tab på grund af meget lave FOM Rdson QG og Eoss.
Meget høj kommutation robusthed.
Nem at bruge/drive.
Blyfri belægning, halogenfri formforbindelse.
Kvalificeret til opgaver i standardkvalitet.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 75 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.1 A 950 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 3 A 650 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V Forbedring SOT-223, IPN
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring SOT-223, IPN