Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE Nej IPU60R1K5CEAKMA2
- RS-varenummer:
- 217-2585
- Producentens varenummer:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 62,00
(ekskl. moms)
Kr. 77,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 1,24 | Kr. 62,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2585
- Producentens varenummer:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 49W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 49W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V IPAK (TO-251), CoolMOS™ CE IPU60R1K5CEAKMA2
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ CE IPS60R800CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 3 3 ben CoolMOS™ CE IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben CoolMOS™ CE IPS60R3K4CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPS65R1K0CEAKMA2
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ CE IPSA70R950CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ CE IPSA70R2K0CEAKMA1
