Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 121,60

(ekskl. moms)

Kr. 152,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 600 enhed(er) afsendes fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 2,432Kr. 121,60
100 - 200Kr. 1,873Kr. 93,65
250 - 450Kr. 1,752Kr. 87,60
500 - 1200Kr. 1,631Kr. 81,55
1250 +Kr. 1,508Kr. 75,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2585
Producentens varenummer:
IPU60R1K5CEAKMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

IPAK

Serie

CoolMOS CE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

49W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links