Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 217-2584
- Producentens varenummer:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 182,475
(ekskl. moms)
Kr. 228,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 600 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 2,433 | Kr. 182,48 |
| 150 - 300 | Kr. 1,873 | Kr. 140,48 |
| 375 - 675 | Kr. 1,752 | Kr. 131,40 |
| 750 - 1800 | Kr. 1,63 | Kr. 122,25 |
| 1875 + | Kr. 1,508 | Kr. 113,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2584
- Producentens varenummer:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 49W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 49W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring IPAK, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 600 V IPAK, 600V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 4 A 700 V IPAK, 700V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.6 A 600 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7