Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS CE Nej IPSA70R2K0CEAKMA1
- RS-varenummer:
- 218-3080
- Producentens varenummer:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 163,50
(ekskl. moms)
Kr. 204,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 3,27 | Kr. 163,50 |
| 100 - 200 | Kr. 2,222 | Kr. 111,10 |
| 250 - 450 | Kr. 2,093 | Kr. 104,65 |
| 500 - 1200 | Kr. 1,963 | Kr. 98,15 |
| 1250 + | Kr. 1,798 | Kr. 89,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3080
- Producentens varenummer:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS CE | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.8nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 6.1mm | |
| Bredde | 2.38 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS CE | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.8nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 6.1mm | ||
Bredde 2.38 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V CoolMOS™-serien N-kanal effekt MOSFET. Denne serie giver alle fordelene ved et hurtigt Superjunction med omkobling MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenlighed og
tilbyder markedets bedste ydelsesforhold, der er lavere for omkostningerne.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ CE IPSA70R2K0CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben CoolMOS™ CE IPS60R3K4CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ P7 IPS70R900P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 12 3 ben CoolMOS™ P7 IPS70R360P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V IPAK SL (TO-251 SL), CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 12 3 ben CoolMOS™ P7 IPSA70R360P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ P7 IPSA70R750P7SAKMA1
