Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7 Nej IPW60R120P7XKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 178,90

(ekskl. moms)

Kr. 223,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.035 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 35,78Kr. 178,90
10 - 20Kr. 30,054Kr. 150,27
25 - 45Kr. 28,274Kr. 141,37
50 - 120Kr. 26,136Kr. 130,68
125 +Kr. 24,324Kr. 121,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2587
Producentens varenummer:
IPW60R120P7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolMOS P7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Effektafsættelse maks. Pd

95W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.13mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.21 mm

Højde

41.42mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.

ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)

Integreret gate-modstand R G

Diode med robust hus

Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering

Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet

Relaterede links