Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-3071
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S209AKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 189,54
(ekskl. moms)
Kr. 236,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 18,954 | Kr. 189,54 |
| 20 - 40 | Kr. 18,004 | Kr. 180,04 |
| 50 - 90 | Kr. 17,249 | Kr. 172,49 |
| 100 - 240 | Kr. 16,501 | Kr. 165,01 |
| 250 + | Kr. 15,356 | Kr. 153,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3071
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S209AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 55 V N-kanal MOSFET til brug i biler. Denne MOSFET bruges i ventilstyring, magnetventilstyring, belysning, ensoklet motor osv.
N-kanal - forbedringstilstand
175 °C driftstemperatur
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101