Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 857-7000
- Producentens varenummer:
- IPP80N08S2L07AKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 500 enheder)*
Kr. 15.634,50
(ekskl. moms)
Kr. 19.543,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 500 + | Kr. 31,269 | Kr. 15.634,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 857-7000
- Producentens varenummer:
- IPP80N08S2L07AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 183nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 183nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™ mosfet serien
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (blyfri)
Ultra lav Rds(til)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5