Infineon N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 219-6009
- Producentens varenummer:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 82,58
(ekskl. moms)
Kr. 103,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,258 | Kr. 82,58 |
| 50 - 90 | Kr. 7,847 | Kr. 78,47 |
| 100 - 240 | Kr. 7,51 | Kr. 75,10 |
| 250 - 490 | Kr. 7,188 | Kr. 71,88 |
| 500 + | Kr. 6,687 | Kr. 66,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6009
- Producentens varenummer:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 15.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 15.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET serien er perfekt egnet til SMPS-applikationer med lavt strømforbrug ved fuldt ud at opfylde markedets behov inden for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelsesforhold. Den fokuserer hovedsageligt på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Denne nye produktserie tilbyder op til 0.6 % effektivitetsforøgelse og 2 C til 8 C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med forgængeren samt konkurrerende dele testet i typiske flyback-anvendelser. Det giver også mulighed for højere effekttæthed gennem lavere koblingstab og bedre DPAK R DS (on) produkter. Alt i alt hjælper det kunderne med at spare BOM-omkostninger og reducere montagearbejdet.
Nem at køre og at designe
Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl
Færre produktionsproblemer og færre returneringer i marken
Nemt at vælge de rigtige dele til finjustering af design
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7