Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 219-6008
- Producentens varenummer:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 239,65
(ekskl. moms)
Kr. 299,55
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,793 | Kr. 239,65 |
| 100 - 200 | Kr. 4,121 | Kr. 206,05 |
| 250 - 450 | Kr. 3,884 | Kr. 194,20 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,596 | Kr. 179,80 |
| 1250 + | Kr. 3,403 | Kr. 170,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6008
- Producentens varenummer:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET serien er perfekt egnet til SMPS-applikationer med lavt strømforbrug ved fuldt ud at opfylde markedets behov inden for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelsesforhold. Den fokuserer hovedsageligt på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Denne nye produktserie tilbyder op til 0.6 % effektivitetsforøgelse og 2 C til 8 C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med forgængeren samt konkurrerende dele testet i typiske flyback-anvendelser. Det giver også mulighed for højere effekttæthed gennem lavere koblingstab og bedre DPAK R DS (on) produkter. Alt i alt hjælper det kunderne med at spare BOM-omkostninger og reducere montagearbejdet.
Nem at køre og at designe
Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl
Færre produktionsproblemer og færre returneringer i marken
Nemt at vælge de rigtige dele til finjustering af design
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7