Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- RS-varenummer:
- 219-6015
- Producentens varenummer:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 38,745
(ekskl. moms)
Kr. 48,435
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.335 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 2,583 | Kr. 38,75 |
| 75 - 135 | Kr. 2,453 | Kr. 36,80 |
| 150 - 360 | Kr. 2,354 | Kr. 35,31 |
| 375 - 735 | Kr. 2,289 | Kr. 34,34 |
| 750 + | Kr. 2,234 | Kr. 33,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6015
- Producentens varenummer:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 370mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 370mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon er designet til at opfylde de voksende forbrugerbehov inden for high-voltage MOSFET'er Arena. Den nyeste 950V CoolMOS P7-teknologi fokuserer på laveffekts SMPS-markedet. 950V CoolMOS P7 serien har 50 V mere blokerende spænding end sin forgænger 900V CoolMOS C3 og leverer fremragende ydeevne med hensyn til effektivitet, termisk adfærd og brugervenlighed. Som alle andre P7-familiemedlemmer leveres 950V CoolMOS P7-serien med en integreret zenerdiode ESD-beskyttelse. Den integrerede diode forbedrer ESD-robustheden betydeligt og reducerer dermed ESD-relateret udbyttetab og opnår enestående brugervenlighed. CoolMOS P7 er udviklet med klassens bedste VGS (TH) på 3 V og en snæver tolerance på kun ± 0,5 V, hvilket gør det nemt at køre og designe.
Klassens bedste VGS (th) på 3 V og mindste VGS (th) variation på ± 0,5 V.
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse op til klasse 2 (HBM)
Klassens bedste kvalitet og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 2 A 950 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Type N-Kanal 4 A 950 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 5.7 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Sæt_6W_13V_P7_950V MOSFET til 950 V CoolMOSTM P7 SJ MOSFET telekommunikation
- Infineon Type N-Kanal 4 A 950 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7