Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 57.2 A 650 V Forbedring, TO-263, CoolMOS P7 Nej IPB65R190CFDAATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 53,47

(ekskl. moms)

Kr. 66,838

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 826 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 26,735Kr. 53,47
10 - 18Kr. 24,05Kr. 48,10
20 - 48Kr. 22,44Kr. 44,88
50 - 98Kr. 20,83Kr. 41,66
100 +Kr. 19,45Kr. 38,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7393
Producentens varenummer:
IPB65R190CFDAATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

57.2A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

190mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 650V Cool MOS CSDA Super Junction (SJ) MOSFET er Infineons anden generation af markedets førende automotive kvalificerede Cool MOS power MOSFET'er med høj spænding. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver 650V Cool MOS CFD-serien også en integreret hurtig diode.

Første 650 V godkendt teknologi til brug i biler med integreret fast body-diode på markedet

Begrænset spændingsoverskridelse under hård kommutation – selvbegrænsende di/dt og dv/dt

Lav gate-opladningsværdi Q g

Lav Q rr ved gentagen kommutation på kropsdiode og Lav Q oss

Reduceret tænd- og tænd-tid

Øget sikkerhedsmargen på grund af højere gennemslagsspænding

Reduceret EMI-udseende og nem at designe i.

Bedre effektivitet ved let belastning

Lavere skiftetab

Højere skiftefrekvens og/eller højere driftscyklus er mulig

Høj kvalitet og pålidelighed

Relaterede links