Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 57.2 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 220-7393
- Producentens varenummer:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 50,42
(ekskl. moms)
Kr. 63,02
(inkl. moms)
Tilføj 24 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 826 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 25,21 | Kr. 50,42 |
| 10 - 18 | Kr. 22,70 | Kr. 45,40 |
| 20 - 48 | Kr. 21,17 | Kr. 42,34 |
| 50 - 98 | Kr. 19,71 | Kr. 39,42 |
| 100 + | Kr. 18,40 | Kr. 36,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7393
- Producentens varenummer:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650V Cool MOS CSDA Super Junction (SJ) MOSFET er Infineons anden generation af markedets førende automotive kvalificerede Cool MOS power MOSFET'er med høj spænding. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver 650V Cool MOS CFD-serien også en integreret hurtig diode.
Første 650 V godkendt teknologi til brug i biler med integreret fast body-diode på markedet
Begrænset spændingsoverskridelse under hård kommutation – selvbegrænsende di/dt og dv/dt
Lav gate-opladningsværdi Q g
Lav Q rr ved gentagen kommutation på kropsdiode og Lav Q oss
Reduceret tænd- og tænd-tid
Øget sikkerhedsmargen på grund af højere gennemslagsspænding
Reduceret EMI-udseende og nem at designe i.
Bedre effektivitet ved let belastning
Lavere skiftetab
Højere skiftefrekvens og/eller højere driftscyklus er mulig
Høj kvalitet og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 57.2 A 650 V Forbedring CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 78 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, 600V CoolMOS P7