Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 15 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 220-7397
- Producentens varenummer:
- IPB90R340C3ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 71,09
(ekskl. moms)
Kr. 88,862
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 758 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 35,545 | Kr. 71,09 |
| 10 - 18 | Kr. 31,985 | Kr. 63,97 |
| 20 - 48 | Kr. 29,835 | Kr. 59,67 |
| 50 - 98 | Kr. 27,705 | Kr. 55,41 |
| 100 + | Kr. 25,615 | Kr. 51,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7397
- Producentens varenummer:
- IPB90R340C3ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 900V Cool MOS C3 er Infineons tredje serie af Cool MOS med markedsadgang i 2001. C3 er porteføljens "arbejdshest".
Lav specifik modstand i tændt tilstand (RDS(on) * A)
Meget lav energilagring i udgangskapacitet (Eoss) ved 400 V.
Lav gate-opladning (QG)
Cool MOS™-kvalitet, der er afprøvet i felten
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 100 V Forbedring TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 145 A 700 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 57.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-263, CoolMOS