Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 83 A 650 V Forbedring, 10 Ben, HDSOP, C7 GOLD Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1700 enheder)*

Kr. 28.687,50

(ekskl. moms)

Kr. 35.859,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1700 +Kr. 16,875Kr. 28.687,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7417
Producentens varenummer:
IPDD60R080G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

83A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HDSOP

Serie

C7 GOLD

Monteringstype

Overflade

Benantal

10

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

174W

Bredde

2.35 mm

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

21.11mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-teknologierne introducerer dobbelt DPAK (DDPAK), det første topkølede overflademonterede (SMD) hus til SMPS-anvendelser med høj effekt, f.eks. pc-strøm, solceller, server og telekommunikation. Fordelene ved den allerede eksisterende højspændingsteknologi 600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFET er kombineret med det innovative koncept inden for køling på oversiden, hvilket giver en systemløsning til højstrøms hårde skiftende topologier som PFC og en højeffektiv løsning til LLC topologier.

Giver klassens bedste FOM RDS(on) x Eoss og RDS(on) x QG

Innovativt topsidekølekoncept

Indbygget 4. Bens Kelvin-kildekonfiguration og lav parasitisk kilde selvinduktion

TCOB-kapacitet på >> 2.000 cyklusser MSL1-kompatibel og total blyfri

Giver den højeste energieffektivitet

Termisk afkobling af kort og halvleder gør det muligt at overvinde termisk PCB-grænser

Reduceret parasitisk kildeinduktans forbedrer e-effektiviteten og brugervenligheden

Muliggør løsninger med højere effekttæthed

Overskridelse af de højeste kvalitetsstandarder

Relaterede links