Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 45 A 650 V Forbedring, 10 Ben, HDSOP, C7 GOLD
- RS-varenummer:
- 220-7419
- Producentens varenummer:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1700 enheder)*
Kr. 17.431,80
(ekskl. moms)
Kr. 21.790,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1700 + | Kr. 10,254 | Kr. 17.431,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7419
- Producentens varenummer:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | C7 GOLD | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Højde | 21.11mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 2.35 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie C7 GOLD | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Højde 21.11mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 2.35 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Technologies introducerer dobbelt DPAK (DDPAK), det første topkølede overflademonterede (SMD) hus til SMPS-anvendelser med høj effekt, f.eks. pc-strøm, solceller, server og telekommunikation. Fordelene ved den allerede eksisterende højspændingsteknologi 600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFET er kombineret med det innovative koncept inden for køling på oversiden, hvilket giver en systemløsning til højstrøms hårde skiftende topologier som PFC og en højeffektiv løsning til LLC topologier.
Giver klassens bedste FOM RDS(on) x Eoss og RDS(on) x QG
Innovativt topsidekølekoncept
Indbygget 4. Bens Kelvin-kildekonfiguration og lav parasitisk kilde selvinduktion
TCOB-kapacitet på >> 2.000 cyklusser MSL1-kompatibel og total blyfri
Giver den højeste energieffektivitet
Termisk afkobling af kort og halvleder gør det muligt at overvinde termisk PCB-grænser
Reduceret parasitisk kildeinduktans forbedrer e-effektiviteten og brugervenligheden
Muliggør løsninger med højere effekttæthed
Overskridelse af de højeste kvalitetsstandarder
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring HDSOP, C7 GOLD
- Infineon Type N-Kanal 83 A 650 V Forbedring HDSOP, C7 GOLD
- Infineon Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring HSOF, C7 GOLD
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 107 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65