Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 6.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 142,575

(ekskl. moms)

Kr. 178,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 +Kr. 1,901Kr. 142,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7438
Producentens varenummer:
IPS60R1K0CEAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.8A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-251

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

61W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bredde

2.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Cool MOS CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600V, 650V og 700V Cool MOS CE kombinerer optimal R DS(ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Lavt ledningstab

Lave koblingstab

Velegnet til hårde og bløde skift

Let kontrollerbar skift

Forbedret effektivitet og deraf følgende reduktion af strømforbruget

Mindre design i arbejde

Let at bruge

Relaterede links