Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 73 A 100 V Forbedring, 2 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 220-7498
- Producentens varenummer:
- IRFS4610TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,18
(ekskl. moms)
Kr. 103,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,636 | Kr. 83,18 |
| 25 - 45 | Kr. 14,482 | Kr. 72,41 |
| 50 - 120 | Kr. 13,478 | Kr. 67,39 |
| 125 - 245 | Kr. 12,656 | Kr. 63,28 |
| 250 + | Kr. 11,654 | Kr. 58,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7498
- Producentens varenummer:
- IRFS4610TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 2 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 73A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 2 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon stærke IRFET effekt MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Høj mærkestrøm
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Kvalifikationsniveau i henhold til branchestandard
Standard benforbindelser gør det muligt at udskifte dem
God strømbelastningsevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 73 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 62 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 162 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 270 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 293 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 400 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET