Infineon N-Kanal, MOSFET Transistor & Diode, 62 A 75 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3007STRLPBF

Infineon Infineons OptiMOS N-kanal effekt MOSFET'er er udviklet til at øge effektivitet, effekttæthed og omkostningseffektivitet. OptiMOS-produkter, der er designet til højtydende anvendelser og optimeret til høj switching-frekvens, overbeviser med branchens bedste resultater. OptiMOS Power MOSFET-porteføljen, der nu suppleres af stærk IRFET, skaber en virkelig kraftfuld kombination. Nyd godt af et perfekt match af robust og fremragende pris/ydeevne fra stærke IRFET MOSFET'er og klassens bedste teknologi fra OptiMOS MOSFET'er. Begge produktfamilier lever op til de højeste kvalitetsstandarder og krav til ydeevne. Den samlede portefølje, der dækker spændinger fra 12 V op til 300 V MOSFET'er, kan imødekomme en lang række behov fra lave til høje switching-frekvenser som f.eks. SMPS, batteridrevne anvendelser, motorstyring og drev, invertere og databehandling.

Planar cellestruktur for bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz
Industristandard overflademonteret strømpakke
Hus med stor strømbelastningsevne (op til 195 A, afhængigt af størrelse)
Kan bølgelloddes