onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 337 A 30 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NTMFS0D8N
- RS-varenummer:
- 221-6728
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D8N03CT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 73,96
(ekskl. moms)
Kr. 92,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.490 enhed(er) afsendes fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 7,396 | Kr. 73,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6728
- Producentens varenummer:
- NTMFS0D8N03CT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 337A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTMFS0D8N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.3mm | |
| Længde | 5.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 337A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTMFS0D8N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.3mm | ||
Længde 5.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor 30 V effekt MOSFET brugte 337 A drænstrøm med en enkelt N-kanal. Det forbedrer styringen af indkoblingsstrømstød og forbedrer også systemets effektivitet.
Advanced-hus (5x6 mm)
Ultralav RDS(on) for at forbedre systemets effektivitet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 337 A 30 V Forbedring DFN, NTMFS0D8N
- onsemi Type N-Kanal 337 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring DFN
- onsemi Type N-Kanal 365 A 25 V Forbedring DFN, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 378 A 40 V Forbedring DFN, NTMFS5C404N
- onsemi Type N-Kanal 235 A 40 V Forbedring DFN, NTMFS5C430N
- onsemi Type N-Kanal 157 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H801N