onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PQFN, NTMT190N Nej NTMT190N65S3HF

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 168,39

(ekskl. moms)

Kr. 210,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.790 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 33,678Kr. 168,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
221-6740
Producentens varenummer:
NTMT190N65S3HF
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

NTMT190N

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

190mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

162W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.1mm

Længde

8.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.

Ultralav gate-opladning

Lav effektiv udgangskapacitet 316 pF

100 % avalanche-testet

Relaterede links