onsemi N-Kanal, MOSFET, 28.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, NVTFS
- RS-varenummer:
- 221-6760
- Producentens varenummer:
- NVTFS4C02NTAG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 125,66
(ekskl. moms)
Kr. 157,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 12,566 | Kr. 125,66 |
| 100 - 240 | Kr. 10,831 | Kr. 108,31 |
| 250 + | Kr. 9,395 | Kr. 93,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6760
- Producentens varenummer:
- NVTFS4C02NTAG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | NVTFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.15mm | |
| Højde | 3.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie NVTFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.15mm | ||
Højde 3.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor Automotive Power MOSFET i et 3x3 mm fladt blyhus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. Flankeindstillingen, der kan nulstilles, kan fås til forbedret optisk inspektion. Den anvendte AEC-Q101 kvalificeret MOSFET og PPAP egnet til brug i biler.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav kapacitet for at minimere tab af driver